晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。

由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼，即使在高溫下迅速冷卻，也會析出碳化物，造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時，亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6，使鉻分布趨于均勻，消除了晶間腐蝕的傾向。

縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的，這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會有狹窄的縫隙?？p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進入，使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池，縫隙內(nèi)發(fā)生較強的局部腐蝕。