晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。

而且，金屬及合金表面在腐蝕后仍保持一定的金屬光澤，沒(méi)有損傷的跡象，但晶粒間的結(jié)合力明顯減弱，力學(xué)性能惡化，經(jīng)不起敲擊，所以是一種非常危險(xiǎn)的腐蝕。它通常出現(xiàn)在黃銅、硬鋁合金以及一些不銹鋼和鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學(xué)工業(yè)中的一個(gè)重要問(wèn)題。

鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會(huì)降低C的活性，降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會(huì)提高C的活性，降低C在奧氏體中的溶解度，促進(jìn)碳化物的析出。