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理論上，研制P < = 0.01%，Si<= 0.10%，B<= 0.008%的高純度Cr - Ni奧氏體不銹鋼是解決非敏化晶間腐蝕的最根本措施。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經1050℃固溶處理后，在強氧化介質中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質達到100ppm或Si雜質達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質在強氧化劑介質的作用下會溶解，在晶界處產生選擇性晶間腐蝕。該鋼經敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
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