不銹鋼在酸性介質(zhì)中存在嚴(yán)重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。

晶間腐蝕的特點(diǎn)是當(dāng)金屬表面沒有損傷時(shí)，晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴(yán)重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會(huì)碎成粉末。

在含Cr6 +的硝酸介質(zhì)中，選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼，研究了C、P、Si和B對非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%， P & gt= 0.01%，有顯著危害;當(dāng)Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時(shí)，非敏化晶間腐蝕敏感性最大，且Si含量高于或低于該含量時(shí)晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%，對非敏化晶間腐蝕有害。對低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進(jìn)一步研究表明，這些不銹鋼在非敏化狀態(tài)下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結(jié)果證實(shí)，晶界上P、Si和B等元素的偏析和優(yōu)先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。